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Kolloquiums-Termine im Wintersemester 2021/2022

Thu, 01-07-2021, 18:30 Uhr

Halbleiter mit großer Bandlücke

Prof. Dr. Marius Grundmann
Felix-Bloch-Institut für Festkörperphysik, Universität Leipzig
vollständiger Text


Die Materialklasse der Oxid-Halbleiter mit großer Bandlücke hat industrielle Massenanwendung als transparente Elektroden und Transistoren in Touchscreens und Displays gefunden. Wir diskutieren physikalische Grundlagen und anwendungsrelevante Herausforderungen.
Die meisten dieser Materialien sind vom n-Typ. Lösungen für den Mangel an geeigneten p-Typ Halbleitern stellen ggf. Materialien wie AB2O4-Spinelle (A=Zn, B=Co,Rh,Ir), Sn2+-Verbindungen oder Kupferiodid dar.
Neue Fortschritte auf diesen Gebieten werden diskutiert. Großes Anwendungspotenzial von Halbleitern mit großer Bandlücke besteht auch in der Hochleistungselektronik.
Als Fortsetzung der Erfolgsstory von Si und SiC in der Hochleistungselektronik gerät außer dem (Al,Ga)N-System die Ga2O3-basierte Elektronik in den Fokus, da hohe Durchbruchsfeldstärken mit der Verfügbarkeit großer Substratflächen kombiniert werden können. Wir berichten über Epitaxie und Eigenschaften der beiden Legierungssysteme (Ga,In)2O3 und (Al,Ga)2O3 in ihren verschiedenen Kristallphasen (monoklin, rhombohedrisch, orthorhombisch und kubisch).
Schließlich wird die Rolle und Bedeutung von Farbzentren in Diamant für die zukünftige Festkörperbasierte Quanteninformationstechnologie beleuchtet.